霍爾電流傳感器基于磁平衡式霍爾原理，根據霍爾效應原理，從霍爾元件的控制電流端通入電流Ic，并在霍爾元件平面的法線方向上施加磁場強度為B的磁場，那么在垂直于電流和磁場方向(即霍爾輸出端之間)，將產生一個電勢VH，稱其為霍爾電勢，其大小正比于控制電流I與磁場強度B的乘積。即有式中:K為霍爾系數，由霍爾元件的材料決定;I為控制電流;B為磁場強度;VH為霍爾電勢。
 

　　霍爾器件是一種采用半導體材料制成的磁電轉換器件。如果在輸入端通入控制電流IC，當有一磁場B穿過該器件感磁面，則在輸出端出現霍爾電勢VH。
 

　　霍爾電勢VH的大小與控制電流IC和磁通密度B的乘積成正比，即:VH=KHICBsinΘ
 

　　霍爾電流傳感器是按照霍爾效應原理制成，對安培定律加以應用，即在載流導體周圍產生一正比于該電流的磁場，而霍爾器件則用來測量這一磁場。因此，使電流的非接觸測量成為可能。
 

　　通過測量霍爾電勢的大小間接測量載流導體電流的大小。因此，電流傳感器經過了電-磁-電的絕緣隔離轉換。
 

　　下面讓我們來了解一下霍爾電流傳感器的測量方法吧
 

　　1、原邊導線應放置于傳感器內孔中心，盡可能不要放偏;
 

　　2、原邊導線盡可能*放滿傳感器內孔，不要留有空隙;
 

　　3、需要測量的電流應接近于傳感器的標準額定值IPN，不要相差太大。如條件所限，手頭僅有一個額定值很高的傳感器，而欲測量的電流值又低于額定值很多，為了提高測量精度，可以把原邊導線多繞幾圈，使之接近額定值。
 

　　例如當用額定值100A的傳感器去測量10A的電流時，為提高精度可將原邊導線在傳感器的內孔中心繞十圈(一般情況，NP=1;在內孔中繞一圈，NP=2;……;繞九圈，NP=10，則NP×10A=100A與傳感器的額定值相等，從而可提高精度);
 

　　4、當欲測量的電流值為IPN/10的時，在25℃仍然可以有較高的精度。
 

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